特許

J-GLOBAL ID：200903069200937681

電気的に書き込みおよび消去が可能なメモリセルの動作方法および電気的なメモリのための記憶装置

発明者： ヨアヒム デッペ ,  マルク イスラー ,  クリストフ ルードヴィヒ ,  イェンス-ウーヴェ ザクセ ,  ヤン-マルテ フィッシャー ,  リッカルド パブロ ミカーロ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-063161
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251384
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 好適にエラーの発生が回避される、電気的に書き込みおよび消去が可能なメモリセルの動作方法を提供する。【解決手段】 本発明のメモリセルの動作方法において、メモリセルは第1の方向および第2の方向に動作可能なチャネル領域(2)を有し、少なくとも1つの有効なパラメータによって特徴づけられる。情報は、第1の方向においてチャネル領域で動作するパラメータと第2の方向においてチャネル領域で動作するパラメータとの差として格納される。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

電気的に書き込みおよび消去が可能なメモリセルの動作方法であって、該メモリセルは、第1の方向および第2の方向に動作可能なチャネル領域(2)を有し、少なくとも1つの有効なパラメータによって特徴づけられる、方法において、 該第1の方向での該チャネル領域の動作におけるパラメータと該第2の方向での該チャネル領域の動作におけるパラメータとの差として、情報が格納される、方法。

IPC (7件)：

G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (7件)：

G11C17/00 611Z ,  H01L27/10 481 ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622C ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G11C17/00 621Z

Fターム (30件)：

5B125BA19 ,  5B125CA11 ,  5B125EA04 ,  5B125EB01 ,  5B125EB02 ,  5B125EJ08 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083ER02 ,  5F083ER09 ,  5F083ER11 ,  5F083ER14 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083JA04 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BD10 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5768192号明細書
  
• 米国特許第6011725号明細書
  
• 国際公開第99/60631号パンフレット
  
• 国際公開第98/03977号パンフレット
  

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置及び携帯電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-142509   出願人：シャープ株式会社
• 非対称電荷トラッピングを利用する不揮発性半導体メモリセル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-506749   出願人：サイフン・セミコンダクターズ・リミテッド