特許
J-GLOBAL ID：200903084463018272
非対称電荷トラッピングを利用する不揮発性半導体メモリセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-506749
公開番号（公開出願番号）：特表2000-514946
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】2層の二酸化シリコン層(18、20)に挟まれたトラッピング誘電層(20)を有するプログラム可能な読出専用メモリ(EPROM)のプログラミングおよび読出の新規な装置および方法が開示され、これは従来のPROM装置のプログラミング時間を大きく減少させる。トラッピング誘電材料の例は、酸化シリコン・窒化シリコン・酸化シリコン(ONO)および埋め込まれたポリシリコンの島を備える二酸化シリコンである。非導電性誘電層は電気的電荷トラッピング媒体として機能する。この電荷トラッピング層は電気絶縁体として作用する2層の二酸化シリコン層の間に挟まれている。導電ゲート層(24)は上方の二酸化シリコン層(22)の上に位置する。メモリ装置(10)は従来の方法でプログラムされる。この装置は、しかしながら、書込まれたのと逆方向に読出され、これはドレインが接地している間電圧がゲート(24)とソース(14)とに印加されることを意味する。印加された同じゲート電圧にとって、逆方向での読出はトラップされた電荷領域にわたる電位を大きく減少する。
請求項（抜粋）：
プログラム可能な読出専用メモリ(PROM)装置であって、 a.半導体基板と、 b.ソースとを含み、前記ソースは導電性になるようにドープされた前記半導体基板の領域を含み、前記PROM装置はさらに、 c.ドレインを含み、前記ドレインは導電性になるようにドープされた前記半導体基板の領域を含み、前記PROM装置はさらに、 d.チャネル領域と定義された、前記ソースと前記ドレインとの間に位置した前記半導体基板の一部の上にありさらにそれを覆う第1の絶縁層と、 e.前記第1の絶縁層の上に形成されその上にある非導電性電荷トラッピング層と、 f.前記非導電性電荷トラッピング層の上に形成されその上にある第2の絶縁層と、 g.ゲートとを含み、前記ゲートは前記第2の絶縁層の上に形成されその上にある導電層を含み、 前記メモリ装置はプログラムされたのと逆方向に読出される、プログラム可能な読出専用メモリ装置。
引用特許：
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