特許

J-GLOBAL ID：200903069223664704

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

発明者： 武智 敏 ,  小太刀 明子 ,  高橋 真
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 石田 敬 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288764
公開番号（公開出願番号）：特開2006-091898
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 現像時のクラックの発生やパターンの剥離を低減可能な化学増幅型レジスト材料を提供することを目的とする。【解決手段】 脂環式炭化水素基を含有しかつその基の炭素原子に低級アルキル基が結合している部分を含む保護されたアルカリ可溶性基を有し、そしてそのアルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなるように、構成する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

次式(I)〜(VI)のいずれかにより表される脂環式炭化水素基含有部分:

IPC (3件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/00

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/00

Fターム (23件)：

2H025AA16 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL09Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA14Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA03 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-39665号公報
  
• 放射線感光材料およびそれを用いるパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-053726   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平4-251259
  
• パターン形成材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275149   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-251259