特許
J-GLOBAL ID：200903069277072187

プラズマ処理方法

発明者：
土井 浩志

土井 浩志 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-140718
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031935
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【目的】処理終了後における誘電体容器への薄膜堆積を防止できるようにして、プラズマ処理の品質の向上に寄与する。【構成】誘電体容器3内にプラズマを形成し、このプラズマを利用して基板20の表面に所定の処理を施す。内部に蒸発物が存在する誘電体容器3の外面に温風を当てて少なくとも摂氏150度以上に加熱する温風加熱機構7を備え、誘電体容器3の内面は有機物の薄膜が堆積しない温度とされる。温風加熱機構7は、誘電体容器3内に所定の電力を導入するアンテナ41の動作を阻害しないよう設けられる。処理中の加熱に加え、プラズマ処理が終了した後、次のプラズマ処理が行われるまでの間にも、温風加熱機構7による加熱が行われる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体容器内にプラズマを形成し、このプラズマを利用して基板の表面に所定の処理を施すプラズマ処理方法であって、誘電体容器内に有機物の蒸発物が存在するプラズマ処理方法において、一回のプラズマ処理が終了した後、次のプラズマ処理が行われるまでの間に、誘電体容器を摂氏150度以上に加熱して誘電体容器の内面への前記有機物の薄膜の堆積を防止することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L21/3065 ,  B01J19/00 ,  B01J19/08 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46
FI (5件)：
H01L21/302 101H ,  B01J19/00 H ,  B01J19/08 E ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 L
Fターム (33件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA52 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075BA10 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA02 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075FC15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB39 ,  5F045AC07 ,  5F045AD05 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-176981   出願人：住友金属工業株式会社
  • 半導体装置のクリーニング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-210588   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

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