特許
J-GLOBAL ID:200903069284081221

半導体素子収納用パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-339084
公開番号(公開出願番号):特開平11-176990
出願日: 1997年12月09日
公開日(公表日): 1999年07月02日
要約:
【要約】【課題】半導体素子に外部電気回路基板よりノイズが入り込み、半導体素子が誤動作する。【解決手段】上面に半導体素子が搭載される搭載部1aを有し、該搭載部1aより下面にかけて導出される複数個の配線層8を有する絶縁基体1と、前記絶縁基体1に取着され、搭載部1aに搭載される半導体素子3を封止する蓋体2とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体1を複数のSiO2 ーAl2 O3 ーMgOーZnOーB2 O3 系結晶性ガラスから成る絶縁層4、5、6を積層して形成するとともに少なくとも最下層の絶縁層4に磁性材料を含有させて磁性絶縁層4aとした。
請求項(抜粋):
上面に半導体素子が搭載される搭載部を有し、該搭載部より下面にかけて導出される複数個の配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体に取着され、搭載部に搭載される半導体素子を封止する蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体を複数のSiO2 ーAl2 O3 ーMgOーZnOーB2 O3 系結晶性ガラスから成る絶縁層を積層して形成するとともに少なくとも最下層の絶縁層に磁性材料を含有させて磁性絶縁層としたことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (2件):
H01L 23/15 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 P
引用特許:
審査官引用 (5件)
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