特許
J-GLOBAL ID：200903069292696898

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
中川 政俊

中川 政俊 について

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花戸 宏之

花戸 宏之 について

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田村 壽宏

田村 壽宏 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-085421
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311979
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】 有機薄膜を用いた場合においても、オフ電流を抑制して、高性能及び高信頼性を有することができる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板と、式 R-SiX1X2X3 (I)(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)で表されるケイ素化合物の単分子膜又は累積膜からなる有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極とを備えた有機薄膜トランジスタにより上記課題を解決する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板と、 式 R-SiX1X2X3 (I) (式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。) で表されるケイ素化合物の単分子膜又は累積膜からなる有機薄膜と、 該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極とを備えた有機薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/312 C ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
Fターム (34件)：
5F058AA10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特許第2889768号公報
  • 特公平6-27140号公報
  • 特許第2507153号公報
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審査官引用 (4件)
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