特許
J-GLOBAL ID:200903069296389078
電子デバイス用放熱体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
浅見 保男
, 高橋 英生
, 武山 吉孝
, 鈴木 隆盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-208567
公開番号(公開出願番号):特開2004-006946
出願日: 2003年08月25日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】熱膨張係数がデバイスなどに近似し放熱性が良好な放熱体を得る。【解決手段】本発明の放熱体10の製造方法は、W(Mo)の含有量がCuよりも多くなるような比率でW(Mo)粉末とCu粉末とバインダーとを混合、混練して成形用組成物とする第1成形用組成物作製工程と、この第1成形用組成物を成形型に充填して所定形状の貫通孔を備えた母材成形体10aを成形する第1成形工程と、Cuの含有量がW(Mo)よりも多くなるような比率でW(Mo)粉末とCu粉末とバインダーとを混合、混練して成形用組成物とする第2成形用組成物作製工程と、母材成形体10aの貫通孔12内に第2成形用組成物13を充填して一体成形体とする第2成形工程と、この一体成形体を加熱して一体成形体に含有されたバインダーを燃焼除去する脱バインダ処理工程と、バインダーが除去された一体成形体を焼結して複合焼結体とする焼結工程とを備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
低熱膨張係数を有する材料からなる基板に高熱伝導性材料を充填して形成する電子デバイス用放熱体の製造方法であって、
タングステンあるいはモリブデンの含有量が銅よりも多くなるような所定の比率でタングステン粉末あるいはモリブデン粉末と銅粉末とバインダーとを混合、混練して成形用組成物を形成する第1成形用組成物作製工程と、
前記第1成形用組成物を成形型に充填して所定形状で貫通孔を備えた母材成形体を成形する第1成形工程と、
銅の含有量がタングステンあるいはモリブデンよりも多くなるような所定の比率でタングステン粉末あるいはモリブデン粉末と銅粉末とバインダーとを混合、混練して成形用組成物とする第2成形用組成物作製工程と、
前記母材成形体の貫通孔内に前記第2成形用組成物を充填して一体成形体とする第2成形工程と、
前記一体成形体を加熱して一体成形体に含有されたバインダーを燃焼除去する脱バインダ処理工程と、
前記バインダーが除去された一体成形体を焼結して複合焼結体とする焼結工程とを備えたことを特徴とする電子デバイス用放熱体の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L23/36 M
, H01L23/36 C
引用特許:
出願人引用 (5件)
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特開平3-283555
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特開平3-231445
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特開平4-348062
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-164679
出願人:株式会社日立製作所
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半導体装置用基板及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-320307
出願人:古河電気工業株式会社
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