半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-164679
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354687
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】半導体基板にはんだ付けして部品を取付け後、樹脂モールドすると、熱膨張係数の違いにより、はんだ付け部が熱疲労破壊することがある。【解決手段】半導体基体と該熱拡散部材間が90(wt%)以上のSnにSb,Ag,Zn,In,Bi及びCuの群から選択された1種類以上の金属が添加された合金材によって固着することにより、熱拡散部材の熱吸収性と伝達性の効果により放熱性の向上を図る。

請求項（抜粋）：

アルミニウム板の主面にエポキシ絶縁層を介して形成された銅配線を有する絶縁基板上に半導体基体が熱拡散部材を介して搭載され、該半導体基体と該熱拡散部材の間の熱膨張率差が10ppm/ °C以下、そして、該熱拡散部材と該絶縁基板の間の熱膨張率差が16.5ppm/°C以下に調整され、該半導体基体と該熱拡散部材間が90(wt%)以上のSnに、Sb,Ag,Zn,In,Bi及びCuの群から選択された1種類以上の金属が添加された合金材によって固着されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/24 , H01L 21/52 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 23/48

FI (4件)：

H01L 23/24 , H01L 21/52 E , H01L 23/48 G , H01L 23/30 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

モールド型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-291545 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
特開昭63-029562
特開昭63-029562

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