半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169062
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357747
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】不純物領域の分布特性が相互に異なる両トランジスタのそれぞれに所望の適正な特性を与えるべく、それぞれに適正な熱処理を容易に行える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 2種類のトランジスタのうち、比較的深い不純物分布を必要とする一方のトランジスタのためのソース・ドレイン領域(24)を形成すべく、不純物(24)を注入し、その拡散のための熱処理を半導体基板(10)に施す。その後、他方のトランジスタのためのソース・ドレイン領域(28)を形成すべく、浅く不純物(28)を注入し、その拡散のために一方のトランジスタの前記熱処理におけるよりも低い温度で半導体基板(10)に熱処理を施す。

請求項（抜粋）：

半導体基板の各活性領域にそれぞれが対応して形成された2種類の電界効果型トランジスタであってその種類に応じてソース・ドレイン領域のための不純物分布を相互に異にする電界効果型トランジスタを備える半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の前記活性領域上にゲート酸化膜を形成すること、前記2種類のトランジスタのうち、その他方の前記トランジスタに比較して深い不純物分布を必要とする一方の前記トランジスタのための前記活性領域上の前記ゲート酸化膜上に形成されるゲートを少なくともマスクの一部として、前記一方のトランジスタのソース・ドレイン領域を形成すべく、不純物を注入し、該不純物の拡散のための熱処理を前記半導体基板に施すこと、この熱処理後、前記他方のトランジスタのための前記活性領域上の前記ゲート酸化膜上に形成されるゲートを少なくともマスクの一部として、前記他方のトランジスタのソース・ドレイン領域を形成すべく、前記一方のトランジスタの不純物注入におけるよりも浅く不純物を注入し、該不純物の拡散のために前記一方のトランジスタの前記熱処理におけるよりも低い温度で前記半導体基板に熱処理を施すことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 27/08 102 B , H01L 21/265 602 A , H01L 27/08 102 A

Fターム (23件)：

5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB03 , 5F048BB06 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BC19 , 5F048BC20 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BE04 , 5F048BG12 , 5F048DA18 , 5F048DA21 , 5F048DA28

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭51-147270
特開昭63-126279
特開昭52-106279

全件表示

審査官引用 (7件)

特開昭51-147270
特開昭63-126279
特開昭52-106279

全件表示

前のページに戻る