特許
J-GLOBAL ID：200903069329277238
半導体製造装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-015274
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228381
出願日： 2003年01月23日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】熱電対の測温に対する他の加熱ゾーンの温度干渉を防止し、さらに、測温の応答性の低下を防止する。【解決手段】ウエハ1を処理する処理室14を形成したプロセスチューブ11と、断熱槽31およびヒータ素線32を有し処理室14を加熱するヒータユニット30とを具備したバッチ式熱処理装置10において、断熱槽31のヒータ素線32の真裏に貫通孔34が開設され、貫通孔34には熱電対35の熱接点38が貫通孔34内に位置するように挿入され、熱接点38には熱容量がヒータ素線32よりも小さい被測温部材40が固定されている。【効果】貫通孔内に挿入された熱電対は測温に際して他の加熱ゾーンの輻射熱の影響を回避できる。熱電対は被測温部材の温度を測定することにより、ヒータ素線の実際の温度を応答性よく計測できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板を処理する処理室を形成した処理容器と、断熱槽およびヒータ素線を有し前記処理容器の外部に設置され前記処理室を加熱するヒータユニットとを備えている半導体製造装置において、
前記断熱槽における前記ヒータ素線の幅内でかつ外周側には前記ヒータ素線の温度を測定する熱電対の測温接点が位置されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L21/31
, H01L21/22
, H01L21/324
H01L21/31 E
, H01L21/22 501N
, H01L21/22 511A
, H01L21/324 T
5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045AF03
, 5F045BB10
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EK01
