特許
J-GLOBAL ID:200903002006350699
基板加熱用板材、およびテルル化カドミウム膜の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石井 和郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-382831
公開番号(公開出願番号):特開2002-184790
出願日: 2000年12月15日
公開日(公表日): 2002年06月28日
要約:
【要約】【課題】 太陽電池などの半導体デバイスの作製過程で、基板を全面に亘り均一な温度分布で加熱するための基板加熱用板材を提供する。また、均一な膜厚の大面積CdTe膜の製造を可能にする。【解決手段】 熱源と基板の間に設置する基板加熱用板材の厚さ方向の熱伝導熱率を面方向の熱伝導率よりも小さくする。この基板加熱用板材をソース基板および膜形成基板の少なくとも一方を面接触させ、熱源により加熱することにより、近接昇華法によるCdTe膜の製造を行う。
請求項(抜粋):
半導体デバイスの製造過程で、基板とこれを加熱するための熱源との間に設置する板材であって、厚さ方向の熱伝導率が面方向の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする基板加熱用板材。
IPC (4件):
H01L 21/50
, C23C 16/30
, H01L 21/363
, H01L 31/04
FI (4件):
H01L 21/50 J
, C23C 16/30
, H01L 21/363
, H01L 31/04 E
Fターム (27件):
4K030BA35
, 4K030CA04
, 4K030CA06
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030KA23
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 4K030KA46
, 5F051AA09
, 5F051BA12
, 5F051CB11
, 5F051CB29
, 5F051GA02
, 5F051GA05
, 5F051GA11
, 5F051GA20
, 5F103AA01
, 5F103AA08
, 5F103AA10
, 5F103BB27
, 5F103BB42
, 5F103DD21
, 5F103LL20
, 5F103RR03
, 5F103RR04
, 5F103RR06
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
特開平1-120812
-
エピタキシャル成長方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-147893
出願人:エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
-
気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-187552
出願人:東芝機械株式会社
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