特許
J-GLOBAL ID：200903069339214129
傾斜型共振器半導体レーザー(TCSL)及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 下道 晶久
, 西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-568741
公開番号（公開出願番号）：特表2005-538532
出願日： 2003年02月11日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
新しい種類の半導体レーザー(即ち、傾斜型共振器レーザー)は、電流の注入とミラーによって光学利得を生成する活性領域を有する少なくとも1つの活性要素を含んでいる。活性要素は、共振器内に配置されている。共振器は、共振光学モードの光学経路が垂直方向及び横方向の面の両方に対して傾斜するように設計されている。従って、共振光学モードに対して、垂直及び横方向の両方における帰還が提供される。このレーザーは、実施例に応じて、面発光レーザー及びエッジ発光レーザーの両方として動作する。傾斜光学モードを採用することにより、従来のレーザーに比べ、下部及び上部干渉反射器内において使用するレイヤの数を格段に減らすことができる。そして、この場合にも、必要な高反射係数は維持される。又、エッジエミッタの場合には、波長安定化レーザーが実現する。この波長安定化は、異なる屈折率を有するレイヤ内における傾斜光学モードの分散法則における差によるものである。
請求項（抜粋）：
半導体レーザーであって、
(a)下部反射器と、
(b)上部反射器と、
(c)前記下部反射器と前記上部反射器間に配置された共振器であって、前記共振器内に配置された活性領域を有し、前記共振器及び前記活性領域は、光が、前記共振器内において、横方向の面に対する法線と前記横方向の面自体の両方に対して傾斜した方向に伝播するように設計されている、共振器と、
を有する半導体レーザー。
IPC (3件)：
H01S5/10
, G02F1/017
, H01S5/18
H01S5/10
, G02F1/017 506
, H01S5/18
2H079AA02
, 2H079BA04
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079KA18
, 5F173AB01
, 5F173AB52
, 5F173AC03
, 5F173AC52
, 5F173AC54
, 5F173AD12
