特許
J-GLOBAL ID:200903069340957933

表面波装置及び通信機装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-308749
公開番号(公開出願番号):特開2003-163574
出願日: 1999年05月14日
公開日(公表日): 2003年06月06日
要約:
【要約】【課題】 膜厚に対して音速の変化が少なく圧電基板上に電極を形成した段階で減衰定数が0に近い表面波装置を提供する。【解決手段】 オイラー角(0°,121°≦θ≦136°,90°±5°)である水晶基板上に、Au,W,Ta,Ag,Mo,Cu,Ni,Cr,Znのうち少なくともひとつを主成分とし、密度が7g/cm3より大きい電極材料でIDTを構成し、SH波を励振させる。
請求項(抜粋):
オイラー角(0°,θ,90°±5°)においてθが119°≦θ≦136°である水晶基板と、前記水晶基板上に形成され、Cuを主成分とし、密度が7g/cm3以上の電極材料で構成されることによりSH波を励振するIDTを備え、前記IDTの膜厚を減衰定数が実質的に0となるように、前記IDTの規格化膜厚をH/λ=0.027〜0.050に設定したことを特徴とする表面波装置。
IPC (2件):
H03H 9/25 ,  H03H 9/145
FI (2件):
H03H 9/25 C ,  H03H 9/145 C
Fターム (8件):
5J097AA01 ,  5J097BB02 ,  5J097BB03 ,  5J097DD28 ,  5J097FF01 ,  5J097GG02 ,  5J097HB02 ,  5J097KK05
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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