特許

J-GLOBAL ID：200903069386821610

光電変換素子およびその製造方法

発明者： 三ッ谷 真司
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (7件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  杉浦 秀幸 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦 ,  高柴 忠夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-374709
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172609
出願日： 2003年11月04日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】 高い受光効率を実現し、製造プロセスに要する時間や手間を低減し得る受光素子をはじめとする光電変換素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、本発明の受光素子(光電変換素子)は、Si層4と、Si層4に形成された溝の内部に埋め込まれたSiGe層5とを有する受光部6を備えている。また、溝の幅は、Si層4に接してSiGe層5を積層させたときにSiGe層5内に格子不整合が発生しない最大の膜厚を示す臨界膜厚よりも大きく、かつ臨界膜厚の2倍の値以下に設定されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と、前記第1の半導体層に形成された溝の内部に埋め込まれた第2の半導体層とを有する光電変換部を備えたことを特徴とする光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L31/00

FI (1件)：

H01L31/00 B

Fターム (10件)：

5F088AA01 ,  5F088AB03 ,  5F088BA01 ,  5F088BA18 ,  5F088BB01 ,  5F088CB03 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088GA04 ,  5F088LA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-307319   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-069725   出願人：株式会社日立製作所