特許
J-GLOBAL ID：200903069391558278
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-079657
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173870
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】薄型が可能でコプラナリティー、信頼性が高い半導体パッケージを提供する。【解決手段】オーバーコート構造の半導体パッケージ10の反りを抑制するため、配線基板11の熱膨張係数をαs 、ヤング率をEs 、厚さをHs 、樹脂層13の熱膨張係数をαr 、ヤング率をEr 、厚さをHr としたとき、(αr ・Er ・Hr )/(αs ・Es ・Hs )の値Rが約0.6以上になるように設定する。このような構成を採用することにより、半導体パッケージ10に働く応力を効果的に緩和することができ、半導体パッケージ10のコプラナリティーを向上することができる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
第1の領域とその周囲の第2の領域を有する第1の面と、外部接続用導電性ボールが配設された第2の面とを有する、樹脂ポリマーからなる配線基板と、
第1の面を有し、前記配線基板の前記第1の面の前記第1の領域に搭載された半導体素子と、
前記配線基板の第一の面の端部まで覆うよう第2の領域の全体を覆い、且つ前記半導体素子の側面及び第1の面を覆う封止樹脂層と、
を具備し、
断面形状が、前記配線基板を下にして、前記半導体素子が搭載される第1の領域では上に凸の弧、前記封止樹脂層が配設される第2の領域では下に凸の弧とされている
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
H01L23/12 501B
, H01L23/30 R
, H01L21/56 T
4M109AA02
, 4M109BA04
, 4M109CA05
, 4M109CA21
, 4M109EA01
, 4M109EB12
, 4M109EC04
, 5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CA21
, 5F061DA08
, 5F061DE03
