特許
J-GLOBAL ID：200903069391972104
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267056
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094210
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 放熱性を向上させた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、活性層13を含む光導波路10がn型InP基板11上の一部に積層され、光導波路10及びn型InP基板11の上に、p型InPクラッド層17、p型InGaAsPコンタクト層18及び電極金属19が順次積層された構造を有している。そして、p型InGaAsPコンタクト層18を貫いて活性層13の近傍に至るメサストライプ21が、p型InPクラッド層17に形成されている。更に、メサストライプ21とヒートシンクとの間に金メッキ層が充填されている。活性層13で発生した熱は、主としてp型InPクラッド層17、メサストライプ21を通ってヒートシンク23へ伝わる。
請求項（抜粋）：
活性層を含む光導波路が半導体基板上の一部に積層され、これらの光導波路及び半導体基板の上に、クラッド層、コンタクト層、電極金属及びヒートシンクが順次積層された構造を有する半導体レーザ装置において、前記コンタクト層を貫いて前記活性層の近傍に至る凹部が前記クラッド層に形成され、前記凹部と前記ヒートシンクとの間に伝熱材料が充填された、ことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5F041AA04
, 5F041AA33
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA39
, 5F041CA74
, 5F041FF15
, 5F073AA13
, 5F073BA09
, 5F073CA12
, 5F073CB11
, 5F073DA23
, 5F073EA14
, 5F073EA24
