特許

J-GLOBAL ID：200903069413885707

窒化物半導体素子

発明者： 大場 康夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206144
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023220
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 貫通転移などの欠陥が少なく、さらに不要な歪みのない高品質窒化物結晶層をサファイア基板上に形成することにより、高性能な窒化物半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 サファイア基板1と、サファイア基板1上に形成されたAlNからなる第1のバッファー層2と、第1のバッファー層2上に形成された厚さ0.3μm以上6μm以下のAlxGa1-xN(0.8≦x0.97)からなる第2のバッファー層3と、第2のバッファー層3上に形成された窒化物半導体からなる素子構造部とを具備する窒化物半導体素子。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、前記サファイア基板上に形成されたAlNからなる第1のバッファー層と、前記第1のバッファー層上に形成された厚さ0.3μm以上6μm以下のAlxGa1-xN(0.8≦x≦0.97)からなる第2のバッファー層と、前記第2のバッファー層上に形成された窒化物半導体からなる素子構造部とを具備することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (5件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

Fターム (41件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE23 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045HA13 ,  5F073AA09 ,  5F073AA36 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ04 ,  5F102GR01 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体装置及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-173602   出願人：ソニー株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-193085   出願人：株式会社東芝