微細パターン検査方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110862
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ上に形成された微細パターン及びそれを露光した露光装置の評価と異常検知を行う。【解決手段】ステッパにより露光した微細パターンに対しエッジ検出を行い、個々のパターンに対してレジスト表面及び底面におけるパターン形状を検出する。検出されたレジスト表面及び底面のパターンの位置関係を示す位置ずれベクトルを算出、画面表示することで微細パターンの評価を行う。更にチップ、1ショット、ウエハの複数位置の微細パターンで同様に位置ずれベクトルを算出し、各場所における位置ずれベクトルの大きさ、分布状況を特徴量として分類、その傾向を各範囲内で分析することで露光装置あるいはウエハの異常検知を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に塗布された薄膜にパターン露光工程を経て形成された微細パターンを検査する微細パターン検査方法において、前記薄膜に形成された微細パターンの画像を取得する工程と、前記画像から前記薄膜の上面における微細パターン形状と前記薄膜の下面における微細パターン形状を求める工程と、前記工程で求めた2つの微細パターンの位置ずれを検出する工程とを含むことを特徴とする微細パターン検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01B 11/00 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/66 J , G01B 11/00 A , H01L 21/30 502 V

Fターム (28件)：

2F065AA03 , 2F065AA17 , 2F065AA49 , 2F065BB02 , 2F065CC19 , 2F065FF04 , 2F065JJ03 , 2F065JJ19 , 2F065JJ26 , 2F065PP23 , 2F065PP24 , 2F065QQ13 , 2F065QQ25 , 2F065SS01 , 2F065SS03 , 2F065SS13 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106BA02 , 4M106CA39 , 4M106CA50 , 4M106DB04 , 4M106DB05 , 4M106DB21 , 4M106DH49 , 4M106DJ18 , 4M106DJ23 , 4M106DJ24

引用特許：

審査官引用 (3件)

回路パターンの検査方法および検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-279459 出願人：松下電工株式会社
バイアホール検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077035 出願人：富士通株式会社
不良解析装置およびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-009967 出願人：株式会社日立製作所

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