半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153085
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056006
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】化学薬品を多量に消費することなく、破損区域のエッチングを可能にする。【解決手段】本発明は、半導体基板11の表面12及び裏面13にレジスト塗布がなくても、半導体基板11の周縁部14をエッチングすることのできる装置及び方法を提供する。半導体基板11は排気可能な処理室2内に配設された保護室3内に導入される。半導体基板表面12及び半導体基板裏面13はエッチングすべき半導体基板縁部14を除いて保護室3によって覆われる。この半導体基板の周縁部14上にはエッチング剤が施され、そしてエッチング生成物及び過剰なエッチング剤は排出される。

請求項（抜粋）：

レジスト塗布のない表面(12)及び同じくレジスト塗布のない裏面(13)を有する半導体基板(11)の周縁部(14)の破損区域のエッチング方法であって、a)半導体基板(11)を処理室(2)内に配設された保護室(3)内へ導入して、この保護室(3)によって半導体基板の表面(12)及び裏面(13)をエッチングすべき半導体基板の周縁部(14)を除いて覆い、b)半導体基板の周縁部(14)にエッチング剤を施し、エッチング生成物及び過剰なエッチング剤を排出することを特徴とする半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/302 A , H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-114043
半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-232254 出願人：株式会社東芝
特開昭63-009936

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