ダイナミックランダムアクセスメモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008597
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204142
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】本発明は、DRAMのメモリセル領域におけるトランジスタのカットオフ特性とハイレベルの書き込み補償を満足するととに周辺回路領域のトランジスタの駆動力を向上させて、高密度高速DRAMの実現を図る。【構成】 DRAM1において、メモリセル領域を構成するメモリセルアレイブロック11のトランジスタのゲート絶縁膜(図示せず)を、周辺回路ブロック12(周辺回路領域)およびI/O回路ブロック13(I/O回路領域)の各トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成したものである。またはメモリセル領域およびI/O回路領域の各トランジスタのゲート絶縁膜を、それ以外の各トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成したものである。

請求項（抜粋）：

1トランジスタ1キャパシタ型のダイナミックランダムアクセスメモリ装置において、メモリセル領域のトランジスタのゲート絶縁膜を、該メモリセル領域以外のトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成したことを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/10 681 F , H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 671 Z , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭55-083251
特開平2-237153
特開平4-165670

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