特許
J-GLOBAL ID:200903069512772000

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-276368
公開番号(公開出願番号):特開2006-093372
出願日: 2004年09月24日
公開日(公表日): 2006年04月06日
要約:
【課題】 リフロー工程を行う半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】 本発明は、半導体素子104と、該半導体素子を保持する支持基板103と、支持基板に配され半導体素子を被覆する被覆部材101と、支持基板103の主面と被覆部材101の凹状の内壁面とからなる中空部107と、を備える半導体装置であって、支持基板103は、中空部107まで挿通された貫通孔108を有することを特徴とする半導体装置である。また、貫通孔108は、所定の温度で溶融および固化する密栓109により密封されている。さらに、中空部107は、不活性ガスが封入されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体素子を保持する支持基板と、該支持基板に配される被覆部材とを有し、該被覆部材と前記支持基板とからなる中空部に半導体素子を収納する半導体装置であって、 前記支持基板は、前記中空部まで挿通された貫通孔を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (7件):
5F041AA43 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA72 ,  5F041DA75 ,  5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 半導体チップ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-087522   出願人:株式会社シチズン電子
審査官引用 (6件)
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