特許
J-GLOBAL ID:200903069531082732

電極及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小島 清路 ,  谷口 直也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-019016
公開番号(公開出願番号):特開2004-265859
出願日: 2004年01月27日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【課題】 比表面積が大きく、耐熱性が高く、三相界面が多く、固体電解質体との界面における反応を抑えることもでき、優れた性能を有する電極及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の電極は、一般式(A1-xBx)yMnO3+δで表されるペロブスカイト型酸化物からなり、電子ビーム物理蒸着法により形成されたことを特徴とする(但し、Aは希土類元素、Bはアルカリ土類金属元素であり、0≦x≦1、0.9≦y≦1.1である。)。また、本発明の電極の製造方法は、ペロブスカイト型酸化物からなる電極の製造方法において、一般式(A1-xBx)yMnO3+δで表されるペロブスカイト型酸化物を、電子ビーム物理蒸着法により固体電解質体の表面に堆積させ、該表面において該ペロブスカイト型酸化物からなる柱状結晶を成長させ、立設させることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一般式(A1-xBx)yMnO3+δで表されるペロブスカイト型酸化物からなり、電子ビーム物理蒸着法により形成されたことを特徴とする電極。 (但し、Aは希土類元素、Bはアルカリ土類金属元素であり、0≦x≦1、0.9≦y≦1.1である。)
IPC (3件):
H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M8/02
FI (3件):
H01M4/86 U ,  H01M4/88 T ,  H01M8/02 E
Fターム (9件):
5H018AA06 ,  5H018BB07 ,  5H018EE13 ,  5H018HH00 ,  5H026AA06 ,  5H026BB04 ,  5H026CX05 ,  5H026EE13 ,  5H026HH00
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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