特許
J-GLOBAL ID：200903069554429969
歪量子井戸構造及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-090872
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278397
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 良質な結晶から形成される歪量子井戸構造及びその製法を提供することにある。【解決手段】 基板1上に形成され、InP基板1の格子定数に対して1.5%以上の圧縮歪を有する井戸層5と、井戸層5とは異なる格子定数を有する障壁層4とを積層し、III-V族混晶からなる歪井戸層構造10であって、井戸層5はSbを有し、その組成を井戸層5中の全V族元素に対して0.01%〜0.2%として、井戸層5の3次元成長およびこれに起因した欠陥の発生を抑制するようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、上記基板の格子定数に対して1.5%以上の圧縮歪を有する井戸層と、上記井戸層とは異なる格子定数を有する障壁層とを積層し、III-V族混晶からなる歪量子井戸構造であって、
上記井戸層はSbを有し、その組成を該井戸層中の全V族元素に対して0.01%〜0.2%とした
ことを特徴とする歪量子井戸構造。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AF04
, 5F173AF15
, 5F173AG12
, 5F173AH30
, 5F173AP05
, 5F173AR23
, 5F173AR82
, 5F173AS01
