特許
J-GLOBAL ID：200903014969107550
半導体素子およびその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323411
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133647
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 アルミニウム(Al)を含む半導体層を活性層に用いた半導体素子において、活性層の酸化を抑制し、信頼性、歩留まりの高い半導体素子及びその作製方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上の所定の領域に積層された第1導電型クラッド層2、Alを含む活性層4および第2導電型第1クラッド層6からなるストライプと、ストライプが埋め込まれた電流ブロック層8と、ストライプおよび電流ブロック層8の上に形成された第2導電型第2クラッド層9と、第2導電型第2クラッド層上に形成された第2導電型コンタクト層10とからなる半導体素子において、上記活性層4と上記電流ブロック層8との間にAlを含まない保護層7を有する構成である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の所定の領域に積層された第1導電型クラッド層、Alを含む活性層および第2導電型第1クラッド層からなるストライプと、前記ストライプが埋め込まれた電流ブロック層と、前記ストライプおよび前記電流ブロック層の上に形成された第2導電型第2クラッド層と、前記第2導電型第2クラッド層上に形成された第2導電型コンタクト層とからなる半導体素子において、前記活性層と前記電流ブロック層との間にAlを含まない保護層を有する半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073CA14
, 5F073CA15
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA28
