特許

J-GLOBAL ID：200903069568401480

半導体装置およびその製造方法

発明者： 笠原 健資 ,  大野 泰夫 ,  大久保 哲
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139064
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321063
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 リセス巾およびリセス深さを制御性良く作製できる多段リセス構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体の導電層上に第1のリセスエッチングストッパー層5を設け、リセスエッチングストッパー層5上に第1の半導体層6を設け、さらに第1の半導体層6上に第2のリセスエッチングストッパー層7を設け、第2のリセスエッチングストッパー層7上に第2の半導体層8を設け、第1および第2の半導体層6,8の異方性エッチング液として、クエン酸水溶液と過酸化水素水の混合液からなるエッチング液を用いる。

請求項（抜粋）：

半導体多層構造を有する半導体装置であって、半導体多層構造は、化合物半導体の導電層上に第1のリセスエッチングストッパー層を設け、該リセスエッチングストッパー上に第1の半導体層を設け、該第1の半導体層上に第2のリセスエッチングストッパー層を設け、該第2のリセスエッチングストッパー層上に第2の半導体層を設けたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/41

FI (4件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/306 B ,  H01L 29/44 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-234559   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-188931