半導体装置、その製造方法、実装装置及び実装方法並びにそれに用いられるフリップチップ実装用基板

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066737
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257237
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】フリップチップ実装が微細化されても半導体チップと配線基板との接続信頼性を損なわない半導体装置の実装構造を提供する。【解決手段】配線基板1上に配線基板電極2を形成し、この配線基板電極2上にAgバンプ3を形成する。次に、Agバンプ3が形成されたCuの配線基板電極2上にNiメッキ4を施した後、Auメッキ5を施す。Ni/Auメッキ層4,5が表面に形成された前記Agバンプ3と半導体チップ8のAlからなるチップ電極7と位置合わせをして熱圧着することにより半導体チップ8を配線基板1上にフリップチップ実装する。

請求項（抜粋）：

配線基板と、この配線基板上にフリップチップ方式により実装された半導体チップとを備えた半導体装置において、前記配線基板上に形成された配線基板電極と、この配線基板電極上に形成されたAgバンプと、このAgバンプが形成された配線基板電極上に形成されたNi/Auメッキ層と、前記半導体チップ上に形成された前記Ni/Auメッキ層を介して前記Agバンプと接続されるAlからなるチップ電極とを備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 23/12 , H05K 3/32

FI (6件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 311 T , H05K 3/32 C , H05K 3/32 B , H01L 21/92 604 J , H01L 23/12 L

Fターム (13件)：

5E319AA03 , 5E319AB05 , 5E319AC17 , 5E319BB16 , 5E319CC12 , 5E319CC61 , 5F044KK11 , 5F044KK13 , 5F044KK18 , 5F044KK19 , 5F044PP17 , 5F044QQ03 , 5F044QQ04

引用特許：

審査官引用 (2件)

バンプ付きセラミックパッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-194485 出願人：新光電気工業株式会社
実装用印刷配線板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-244459 出願人：株式会社東芝

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