特許
J-GLOBAL ID：200903069589185248
選択エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-158305
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031797
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 Six Ny 層に対して高選択比を維持しながらSiOx 層をエッチングする。【構成】 SRAM内の自己整合コンタクト形成において、ゲート電極35を被覆するSix Ny エッチング停止層38上でSiOx 層間絶縁膜39を選択的にドライエッチングする際に、ジャストエッチング工程でc-C4 F8 ガス、オーバーエッチング工程でc-C4 F8 /[(CH3)2 N]4Si混合ガスを用いる。[(CH3)2 N]4Siの分解により気相中に生成するSix Ny 系堆積物がSix Ny エッチング停止層38の露出面を保護し、選択比を向上させる。この堆積物は、エッチング終了後に熱リン酸溶液処理を行えば溶解除去できる。Six Ny 系マスクによるSiOx 層のエッチングを同様のガス系で行えば、対マスク選択比の高いドライエッチングが可能である。
請求項（抜粋）：
窒化シリコン系材料層の上に酸化シリコン系材料層が形成されてなる基板上で該酸化シリコン系材料層を選択的にエッチングする選択エッチング方法において、前記酸化シリコン系材料層を実質的にその層厚分だけエッチングするジャストエッチング工程ではフルオロカーボン系化合物を主体とするエッチング・ガスを用いたドライエッチングを行い、前記酸化シリコン系材料層の残余部をエッチングするオーバーエッチング工程では前記フルオロカーボン系化合物と窒素含有有機シリコン化合物とを含むエッチング・ガスを用いたドライエッチングを行うことを特徴とする選択エッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 J
