特許

J-GLOBAL ID：200903069631309068

強誘電体薄膜素子およびその製造方法

発明者： 白 露 幸 祐 ,  櫻 井 敦 ,  李 効 民
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257968
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091533
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上にできる限り少ない多層構造で、高度に配向したペロブスカイト型の酸化物強誘電体薄膜が形成された、強誘電体薄膜素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本願発明にかかる強誘電体薄膜素子は、Si基板と、Si基板上にエピタキシャル成長させることにより形成されTiの一部をAlで置換したTiN薄膜と、TiN薄膜上にエピタキシャル成長させることにより形成される酸化物導電性薄膜と、酸化物導電性薄膜上に配向成長させることにより形成されペロブスカイト構造を有する酸化物強誘電体薄膜を含む強誘電体薄膜素子であって、TiN薄膜中のTiサイトのAl置換量がAl原子に換算して1〜30%であり、かつTiN薄膜中の酸素含有量が酸素原子に換算して5%以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Si基板、前記Si基板上にエピタキシャル成長させることにより形成されTiの一部をAlで置換したTiN薄膜、前記TiN薄膜上にエピタキシャル成長させることにより形成される酸化物導電性薄膜、および前記酸化物導電性薄膜上に配向成長させることにより形成されペロブスカイト構造を有する酸化物強誘電体薄膜を含む強誘電体薄膜素子であって、前記TiN薄膜中のTiサイトのAl置換量がAl原子に換算して1〜30%であり、かつ前記TiN薄膜中の酸素含有量が酸素原子に換算して5%以下であることを特徴とする、強誘電体薄膜素子。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 41/09

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 41/08 L

Fターム (13件)：

5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F083FR01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA45 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-032170   出願人：株式会社東芝
• マイクロ電子構造体とその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196767   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-061731   出願人：株式会社東芝