特許
J-GLOBAL ID:200903069652150158

堆積膜形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-360493
公開番号(公開出願番号):特開2006-169558
出願日: 2004年12月13日
公開日(公表日): 2006年06月29日
要約:
【課題】 従来の堆積膜の膜厚の不均一を緩和することができる新規な堆積膜形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の堆積膜形成装置は、プラズマCVD法によって導電性のワーク22の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であって、成膜炉11と、成膜炉11内に位置し成膜炉11と等電位の陽極部材1と、板状ワーク22を陽極部材1の周りに周方向に保持し、かつ、マイナス極に結線されたワーク保持手段20と、処理ガスを供給するガスノズル23,33と、少なくともワーク保持手段20に結線されたプラズマ電源16と、を具備することを特徴とする。 この際、成膜炉11は、円筒形状部を有し、陽極部材1は、成膜炉11と同軸的に配置され円柱形状であるのが好ましい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
プラズマCVD法によって導電性のワークの表面に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であって、 成膜炉と、 該成膜炉内に位置し該成膜炉と等電位の陽極部材と、 前記ワークを該陽極部材の周りに周方向に保持し、かつ、マイナス極に結線されたワーク保持手段と、 処理ガスを供給するガスノズルと、 少なくとも前記ワーク保持手段に結線されたプラズマ電源と、 を具備することを特徴とする堆積膜形成装置。
IPC (1件):
C23C 16/50
FI (1件):
C23C16/50
Fターム (10件):
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA02 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA04 ,  4K030KA15
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る