アモルファス炭素膜の成膜方法および成膜装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379077
公開番号（公開出願番号）：特開2004-263292
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】低コストでアモルファス炭素膜を効率よく成膜する技術を提供する。【解決手段】本発明のアモルファス炭素膜の成膜装置は、成膜炉11と、板状ワーク22を平行にかつ上下方向に隣接する2個の板状ワーク22の対向面間の間隔を2〜30mmの範囲で上下方向に積層状態で複数個保持し成膜炉11の炉室内に等間隔でリング状に配置されかつマイナス極に通電された複数個のワーク固定具23と、リング状に配置されたワーク固定具23の中心に1個以上および遠心方向側で等間隔にリング状に配置された複数個で構成され供給ガスを供給するノズル31,32と、少なくともワーク固定具23に結線されたプラズマ電源16とを具備することを特徴とする。供給ガス圧力の範囲を13〜1330Paとしシース幅を2〜30mmとなるようにプラズマ電源を操作することで、安定した放電が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法によって導電性の板状ワークの表面にアモルファス炭素膜を形成するアモルファス炭素膜の成膜方法であって、成膜炉内に配置されかつマイナス極に結線されたワーク固定具に複数の該板状ワークを厚さ方向に平行にかつ積層状態で配置すると共に、シース幅が隣接する2個の該板状ワークの対向面間の間隔以下となるように、処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作して行うことを特徴とするアモルファス炭素膜の成膜方法。

IPC (3件)：

C23C16/26 , C23C16/50 , F16D13/62

FI (3件)：

C23C16/26 , C23C16/50 , F16D13/62 A

Fターム (24件)：

3J056AA60 , 3J056BA01 , 3J056BE09 , 3J056CA04 , 3J056CA07 , 3J056EA03 , 3J056EA16 , 3J056FA07 , 3J056FA09 , 3J056GA01 , 4K030AA02 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030BA27 , 4K030BB05 , 4K030CA17 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 4K030JA16 , 4K030LA01 , 4K030LA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

ダイヤモンド状炭素薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-069230 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (8件)

特開昭63-057770
特開昭54-160568
特開平1-201477

全件表示

前のページに戻る