特許
J-GLOBAL ID：200903069659216146
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369459
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200552
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】突起電極をもつ半導体素子において、突起電極の配置ピッチが小さくても、所要の電気的接続が確実に達成され、隣接する突起電極間の絶縁性を確保して絶縁回路基板に搭載することが可能な構造の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板の主表面上に形成された電極パッドと、電極パッドと半導体基板の主表面を覆う保護絶縁膜と、保護絶縁膜の電極パッドに対応する領域に開けられた開口部を覆うように、電極パッドと接続して形成されたバリアメタルと、バリアメタル上に形成された突起電極と、バリアメタル及び突起電極の外周側面を覆う保護絶縁膜と、突起電極と対向する位置に配設された端子電極を有する回路基板と、回路基板と半導体基板の間の間隙を充填し、突起電極と回路基板上の端子電極とを導通させる異方性導電膜の層とで構成した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子の主表面上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドの一部を開口して、前記電極パッドと前記半導体基板の主表面を覆う保護絶縁膜と、
前記電極パッドに対応する領域に開けられた開口を覆うように、前記電極パッドと接続して形成されたバリアメタルと、
前記バリアメタル上に形成された突起電極と、
前記バリアメタル及び突起電極の外周側面を覆う保護絶縁膜と、
前記突起電極と対向する位置に配設された端子電極を有する絶縁回路基板と、
前記絶縁回路基板と半導体基板の間の間隙を充填し、突起電極と絶縁回路基板上の端子電極とを導通させる異方性導電膜の層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/60 311S
, H01L21/92 603G
5F044LL09
, 5F044QQ02
, 5F044QQ03
