半導体基板への金属の吸着を抑制した半導体基板用処理液及びこの処理液の調製方法並びにこれを用いた半導体基板の処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242376
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068444
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】厳密な鉄イオンの濃度調整を行わずに半導体基板表面への金属の吸着を抑制する。処理液で処理したときに基板表面への金属の吸着を抑制する。【解決手段】半導体基板表面12aを処理するためのpH8〜14の水酸化カリウム等からなるアルカリ性水溶液11を主成分とする半導体基板用処理液10に鉄イオンを0.01〜500ppm添加混合する。鉄水酸化物を共沈核14として鉄以外の金属を金属水酸化物15の形態で共沈させる。鉄イオンを含む水溶液13が水溶性鉄塩の水溶液である。スチール製の容器、液槽又は配管を用い、容器等から溶出する鉄イオンを利用して鉄以外の金属を金属水酸化物の形態で共沈させる。アルカリ性水溶液に鉄イオンを0.01〜500ppm添加混合してなる処理液に基板を浸漬して処理する工程と、超純水でリンスする工程と、酸性溶液で洗浄する工程と、超純水でリンスする工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板(12)の表面を処理するためのpH8〜14のアルカリ性水溶液(11)を主成分とする半導体基板用処理液において、前記アルカリ性水溶液(11)に鉄イオンを0.01〜500ppm添加混合してなることを特徴とする半導体基板への金属の吸着を抑制した半導体基板用処理液。

IPC (2件)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/308 B

Fターム (10件)：

5F043AA01 , 5F043BB02 , 5F043BB27 , 5F043BB30 , 5F043DD10 , 5F043DD23 , 5F043DD30 , 5F043EE05 , 5F043EE16 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

シリコンウエーハの洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-265421 出願人：三菱マテリアル株式会社
特開平3-219000
半導体基板の洗浄装置および洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-295256 出願人：信越半導体株式会社, 株式会社プレテック

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