特許
J-GLOBAL ID:200903069680802195

熱処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松阪 正弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-082697
公開番号(公開出願番号):特開2003-282558
出願日: 2002年03月25日
公開日(公表日): 2003年10月03日
要約:
【要約】【課題】 基板温度の均一性を向上する熱処理装置を提供する。【解決手段】 基板9に加熱を伴う処理を行う熱処理装置において、基板9に光を照射するランプ群、および、基板9を支持する円環状の補助リング31が設けられる。補助リング31は内周面310に内側に突出する円環状の支持部311を有し、支持部311が基板9の外縁部91を下方より当接して支持する。基板9と支持部311とが重なる幅を支持幅W、支持部311の厚みを支持部厚T、基板の厚みを基板厚Twとして、((T×W)≦(Tw×2))を満たすように支持幅Wおよび支持部厚Tが決定される。これにより、加熱される基板温度の均一性が向上される。
請求項(抜粋):
基板に光を照射して加熱を伴う処理を行う熱処理装置であって、上方から基板に光を照射するランプと、基板の外縁部を下方から当接して支持する円環状の支持部を有するとともに前記外縁部から外側に広がる補助リングと、を備え、支持される基板の外縁部と前記支持部とが重なる支持幅と前記支持部の厚みとを乗算した値が、前記基板の厚みを2倍した値以下とされることを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/31 ,  H01L 21/26
FI (2件):
H01L 21/31 E ,  H01L 21/26 Q
Fターム (5件):
5F045AA20 ,  5F045AD15 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045EM06
引用特許:
審査官引用 (3件)

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