半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300180
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139090
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 Cu層を配線の主体とする半導体集積回路装置において、Cu層の付着力を向上させて容易に剥離することのないようにする。【構成】シリコン基板21の表面に拡散層22を形成し、基板表面を拡散層22上に開口を有するシリコン酸化膜23により被覆する。この半導体基板上にTiW、TiN等からなる拡散防止膜24を形成し、その上に、Al、Ti等からなる付着層25、配線層の主体となるCu層26およびTiW、TiN等からなる酸化防止膜27を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に直接または絶縁膜を介して形成された、Cuに対する拡散防止能力の高い材料からなる拡散防止膜と、該拡散防止膜およびCuに対する付着力の高い材料からなる付着層と、該付着層上に形成されたCuを主体とする材料からなる低抵抗金属層と、を有する配線を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 R , H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-202841
半導体装置の積層配線構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-111999 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭63-302538

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