特許

J-GLOBAL ID：200903069708366647

集積化センサ

発明者： 藤塚 徳夫 ,  塚田 厚志 ,  水野 健太朗 ,  大村 義輝 ,  野々村 裕 ,  徳光 早苗
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232666
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050771
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 ワンチップ化の困難なセンサと信号処理回路を集積化すること。【解決手段】 (110)面を主面とする、隆起部11乃至13を有するセンサ素子を形成したセンサ基板1001と、(100)面を主面とするSOI基板から形成された、信号処理回路を有する活性層22bと接合層22aを有する回路基板1002とを陽極接合により接合する。接合層22aと隆起部11とが陽極接合されるが、信号処理回路を有する活性層22bには電圧が印加されないので回路の破壊は生じない。センサ基板1001の端子部13に金属膜14を形成し、回路を有する活性層22bの所望の位置と電気的接続を行う。尚、図では示していないが、隆起部11と接合層22aの一方にパイレックス(登録商標)膜を形成することで、陽極接合を行うことができるようになる。

請求項（抜粋）：

SOI基板から形成され、互いに絶縁された、信号処理回路を有する活性層とその外周部の活性層とを有する回路基板と、基板上に、物理量を電気信号として出力するようセンサ素子の形成されたセンサ基板とを、陽極接合により接合したことを特徴とする集積化センサ。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/84 A ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 27/12 C

Fターム (22件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF43 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA25 ,  4M112CA26 ,  4M112CA31 ,  4M112CA32 ,  4M112CA35 ,  4M112DA02 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13 ,  4M112FA07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• マイクロメカニツクセンサの組立て法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-050357   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-046518   出願人：株式会社フジクラ
• 特開平4-278462