特許
J-GLOBAL ID：200903069734043066

半導体素子及び固体撮像装置

発明者：
川人 祥二

川人 祥二 について


出願人/特許権者：
国立大学法人静岡大学

国立大学法人静岡大学 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  鈴木 壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-287005
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103647
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】低コストで製造可能で、信号電荷の完全転送を実現可能な半導体素子を提供し、更にはこの半導体素子を画素として複数個配列して、高い空間解像度を有する固体撮像装置を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体領域1と、半導体領域1の上部の一部に埋め込まれ、光を入射する第2導電型の受光用表面埋込領域11aと、半導体領域1の上部の一部に埋め込まれ、受光用表面埋込領域11aよりもポテンシャル井戸の深さが深く、受光用表面埋込領域11aにより生成した信号電荷を蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域12aと、電荷蓄積領域12aにより蓄積した信号電荷を受け入れる電荷読み出し領域13と、受光用表面埋込領域11aから電荷蓄積領域12aへ信号電荷を転送する第1の電位制御手段31と、電荷蓄積領域12aから電荷読み出し領域13へ信号電荷を転送する第2の電位制御手段32を備える。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体領域と、 前記半導体領域の上部の一部に埋め込まれ、光を入射する第2導電型の受光用表面埋込領域と、 前記半導体領域の上部の一部に埋め込まれ、前記受光用表面埋込領域よりもポテンシャル井戸の深さが深く、前記受光用表面埋込領域から前記光により生成された信号電荷が転送される第2導電型の電荷蓄積領域と、 前記電荷蓄積領域から前記信号電荷を受け入れる電荷読み出し領域と、 前記受光用表面埋込領域と前記電荷蓄積領域との間の前記半導体領域の上部に形成されるチャネルの電位を制御して、前記受光用表面埋込領域から前記電荷蓄積領域へ前記信号電荷を転送する第1の電位制御手段と、 前記電荷蓄積領域と前記電荷読み出し領域との間の前記半導体領域の上部に形成されるチャネルの電位を制御して、前記電荷蓄積領域から前記電荷読み出し領域へ前記信号電荷を転送する第2の電位制御手段 とを備えることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (28件)：
4M118AA03 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA24 ,  4M118CA32 ,  4M118CB14 ,  4M118DA21 ,  4M118DA23 ,  4M118DB09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA16 ,  4M118FA33 ,  4M118FA38 ,  4M118GB11 ,  5C024CX37 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ02 ,  5C024HX01
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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