特許
J-GLOBAL ID：200903093438582545

固体撮像装置

発明者：
桑沢 和伸

桑沢 和伸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (4件)： 伊藤 進 ,  上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-309134
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120966
出願日： 2004年10月25日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】暗電流の発生を抑制すると共に、転送残りを生じさせない。【解決手段】基板1a内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子PDと、基板1a上にゲート絶縁層5を介して形成された転送ゲート4と、転送ゲート4に所定の電位を印加することによって光電変換素子PDから転送された光発生電荷を保持する電荷保持領域6と、電荷保持領域6とゲート絶縁層5の間に形成された埋込層9と、転送ゲート4に所定の電位を印加することによって電荷保持領域6から転送された光発生電荷を蓄積するフローティングディフュージョンFDと、を含む固体撮像装置。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に複数のセンサセルがマトリクス状に配置されたセンサセルアレイを含む固体撮像装置であって、 各センサセルは、 前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、 前記基板上にゲート絶縁層を介して形成された転送ゲートと、 前記ゲート絶縁層下方に形成された電荷保持領域であって、前記転送ゲートに所定の電位を印加することによって前記光電変換素子から転送された前記光発生電荷を保持する前記電荷保持領域と、 前記電荷保持領域と前記ゲート絶縁層の間に形成された埋込層と、 前記転送ゲートに所定の電位を印加することによって前記電荷保持領域から転送された光発生電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、 を含む固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U
Fターム (17件)：
4M118AA03 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DA21 ,  4M118DA23 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA39 ,  4M118GA10 ,  5C024CX32 ,  5C024CY42 ,  5C024GY18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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