レーザアニール装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横井幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-273391
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097381
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】非晶質薄膜をレーザ光でアニールする際に、薄膜の品質が損なわれたり、レーザ光のエネルギがロスしたりするのを防止する。【解決手段】基板保持手段4、4cによって基板1を縦にした状態に保持してレーザ光6と交差する方向に移動させ、レーザ光6は、反射によって偏向させることなく上記基板1に照射する。【効果】ミラーを用いることなく基板にレーザ光を照射でき、反射によるレーザ光のエネルギロスが避けられる。また基板を水平に配置することによるパーティクルの付着や傷、静電気の発生を防止できる。

請求項（抜粋）：

基板を縦にした状態で保持するとともに、この基板をレーザ光と交差する方向に移動させる基板保持手段と、レーザ光を出力した後、反射によって偏向させることなく前記基板に照射するレーザ照射手段とを有することを特徴とするレーザアニール装置

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 21/268 G , H01L 21/268 J , H01L 21/20

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭64-071119

審査官引用 (10件)

特開昭64-071119
特開平1-261834
特開昭57-045933

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