特許

J-GLOBAL ID：200903069757437339

固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子

発明者： 笹本 恒夫
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-032774
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214374
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】固体撮像素子の周辺回路部の加工マージンを十分に維持しつつも、素子部の薄型化、集光効率の向上をはかり、高感度で、光学特性にすぐれた固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを形成する工程と、前記光電変換部の受光領域に相当する領域で、表面が光電変換部に向かう凹部をもつように、前記半導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に形成された前記凹部内に、層内レンズを形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法であって、前記層内レンズを形成する工程に先立ち、前記絶縁膜を形成した後、前記凹部の内壁が深い傾斜をもつように、前記光電変換部上の前記絶縁膜の少なくとも表面部を除去する工程を含み、前記凹部内に、層内レンズを形成するようにしたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを形成する工程と、 前記光電変換部の受光領域に相当する領域で、表面が光電変換部に向かう凹部をもつように、前記半導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜に形成された前記凹部内に、層内レンズを形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法であって、 前記層内レンズを形成する工程に先立ち、 前記絶縁膜を形成した後、前記凹部の内壁が深い傾斜をもつように、前記光電変換部上の前記絶縁膜の少なくとも表面部を除去する工程を含み、 前記凹部内に、層内レンズを形成するようにした固体撮像素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L27/14 B ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 F ,  H04N5/335 U

Fターム (31件)：

4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118DA03 ,  4M118DA18 ,  4M118DA20 ,  4M118EA01 ,  4M118EA09 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA07 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024HX01 ,  5C024HX41

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ハイブリッド型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-256041   出願人：株式会社ニコン
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-275283   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (1件)

• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-350153   出願人：シャープ株式会社