特許
J-GLOBAL ID：200903069760776594
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185237
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015772
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体の未結合手を終端することにより、半導体の表面準位および半導体と絶縁膜との界面に存在する界面準位を低減することができるMOS型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の表面を清浄化する(a)工程と、半導体基板1表面の自然酸化膜2を除去する(b)工程と、半導体基板1を18-クラウン-6およびシアン化カリウムを含有するキシレン溶液3に浸漬する(c)工程と、半導体基板1表面に絶縁膜4を形成する(d)工程と、絶縁膜表面に電極を形成する(e)工程とを含むこととした。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板上に絶縁膜を介して導電膜が形成された構造を有するMOS型半導体装置の製造方法であって、前記単結晶半導体基板を、クラウンエーテルおよびシアン化合物を含有する溶液に浸漬する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/94 Z
, H01L 21/316 Z
5F058AG09
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BC08
, 5F058BC11
, 5F058BE10
, 5F058BF52
, 5F058BF54
, 5F058BF62
, 5F058BH20
, 5F058BJ01
, 5F058BJ10
