特許
J-GLOBAL ID：200903069785805467

回路製造方法および装置、アニール制御方法および装置、情報記憶媒体

発明者：
松田 友子

松田 友子 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112335
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297996
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 不純物がドープされたシリコンウェハをRTA法でスパイクアニールするとき、シリコンウェハのストレスを緩和しながら不純物の無用な拡散も防止する。【解決手段】 アニール到達温度まで昇温したシリコンウェハを最初は高速で最後は低速となる速度で降温する。降温速度が途中から低速なのでストレスが緩和され、降温速度が途中まで高速なので固溶度が低下した不純物にシリコンウェハとの結合の切断に充分な熱エネルギが作用せず、不純物はシリコンウェハとの結合が切断されないので無用に拡散しない。
請求項（抜粋）：
シリコン基板にドープされた不純物をアニール処理により活性化する回路製造方法であって、前記シリコン基板を所定のアニール到達温度まで昇温し、このアニール到達温度まで昇温されたシリコン基板を最初は高速で最後は低速となる可変の速度で降温する回路製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265 602 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/265 602 B ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/78 301 S
Fターム (7件)：
5F040DA10 ,  5F040DA13 ,  5F040DC01 ,  5F040EF02 ,  5F040FB02 ,  5F040FB03 ,  5F040FC00
引用特許：
審査官引用 (6件)
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