特許
J-GLOBAL ID：200903049705282085

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者：
青木 伸俊

青木 伸俊 について

, 
水島 一郎

水島 一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319501
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214323
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 製造工程数を増大することなく、ダメージによる不純物増速拡散を抑制し不純物密度分布の制御性が向上させることができる半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】 表面にその中心線に底部が接近するように形成された複数の凹部11を有する熱処理管1と、この熱処理管1に巻回された抵抗加熱コイル3と、外部から凹部11に移動可能に挿入されたランプ熱源2とを備えている。ランプ熱源2には、ランプ熱源を移動させるためのランプ移動装置6が接続されている。熱処理管1の内部には、複数枚のウェハ4を搭載する搬送台9が出し入れできる。複数枚のウェハ4に対して、ランプ熱源2を用いて高速昇温による第1の熱処理工程とこれに続く抵抗加熱源3による第2の熱処理工程とをウェハ4の冷却工程なしに行う。
請求項（抜粋）：
ランプの出力を調整して、半導体基板を初期設定温度から、第1の昇温速度で、第1の熱処理温度まで昇温し、この温度を所定時間維持して前記半導体基板に対して第1の熱処理を行う工程と、前記ランプの出力を下げ、前記第1の熱処理温度から、第1の降温速度で降温し、抵抗加熱により、前記初期設定温度より高く前記第1の熱処理温度より低い第2の熱処理温度に設定する工程と、前記抵抗加熱により、前記第2の熱処理温度を所定時間保持して前記半導体基板に対して第2の熱処理を行う工程と、前記熱処理された半導体基板を第2の降温速度で降温する工程とを少なくとも備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/26 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/26 J ,  H01L 29/78 301 F
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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