特許
J-GLOBAL ID：200903069823900983

発光ダイオードおよびその製造方法

発明者：
古城 勝利

古城 勝利 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-292620
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128340
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】応答特性に優れ、そのバラツキが小さくかつ安価な発光ダイオードを提供することを課題とする。【解決手段】裏面に下部電極を有する基板上に、下クラッド層、活性層および上クラッド層が順次積層されたpn接合部ならびに上部電極が順次積層された発光ダイオードの製造方法であって、基板上に下クラッド層、活性層および上クラッド層を順次結晶成長させ、上部電極を形成した後、ダイシングブレードを用いたダイシング法により少なくともpn接合部を分断し、次いでエッチングにより歪除去および所望のpn接合部面積加工を行い、複数のチップを形成する工程を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法により、上記の課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
裏面に下部電極を有する基板上に、下クラッド層、活性層および上クラッド層が順次積層されたpn接合部ならびに上部電極が順次積層された発光ダイオードの製造方法であって、基板上に下クラッド層、活性層および上クラッド層を順次結晶成長させ、上部電極を形成した後、ダイシングブレードを用いたダイシング法により少なくともpn接合部を分断し、次いでエッチングにより歪除去および所望のpn接合部面積加工を行い、複数のチップを形成する工程を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 A
Fターム (9件)：
5F041AA02 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA58 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041FF14
引用特許：
審査官引用 (8件)
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