特許

J-GLOBAL ID：200903069824234901

SiC膜被覆ガラス状炭素材およびその製造方法

発明者： 杉原 孝臣 ,  堂薗 充昭 ,  岡本 賢三
出願人/特許権者： 東海カーボン株式会社
代理人 (1件)： 福田 保夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-285026
公開番号（公開出願番号）：特開2002-097092
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造装置の熱処理用部材をはじめ、高温、高純度雰囲気下で使用される耐熱部材として好適に用いられるSiC膜被覆ガラス状炭素材およびその製造方法を提供する。【解決手段】 CVD法によりSiC膜を被覆したSiC膜被覆ガラス状炭素材において、X線回折によるSiC膜のSiC(111)結晶面の回折ピーク強度が10kc.p.s以下であり、該SiC(111)結晶面の回折ピーク強度が全結晶面(hkl)の回折ピーク強度の80%以上であることを特徴とする。但し、上記の回折ピーク強度とは、CuKαをX線源、管球電圧を40kV、管球電流を20mAとし、Niフィルターを用い、発散スリットに1°、散乱スリットに1°、受光スリットに0.3mmを使用した場合のピーク強度をいう。

請求項（抜粋）：

CVD法によりSiC膜を被覆したSiC膜被覆ガラス状炭素材において、X線回折によるSiC膜のSiC(111)結晶面の回折ピーク強度が10kc.p.s以下であり、該SiC(111)結晶面の回折ピーク強度が全結晶面(hkl)の回折ピーク強度の80%以上であることを特徴とするSiC膜被覆ガラス状炭素材。但し、回折ピーク強度とは、CuKαをX線源、管球電圧を40kV、管球電流を20mAとし、Niフィルターを用い、発散スリットに1°、散乱スリットに1°、受光スリットに0.3mmを使用した場合のピーク強度をいう。

IPC (5件)：

C04B 41/87 ,  C04B 35/52 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

C04B 41/87 V ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  C04B 35/52 G ,  H01L 21/302 B

Fターム (22件)：

4G032AA07 ,  4G032AA33 ,  4G032BA00 ,  4G032BA01 ,  4G032GA19 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030CA01 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA20 ,  4K030LA11 ,  5F004BB29 ,  5F045AB06 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05 ,  5F045EM09

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-014881
  
• 熱処理用治具およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-356183   出願人：東海カーボン株式会社, 旭硝子株式会社
• 炭化珪素成形体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-187773   出願人：東海カーボン株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平2-014881
  
• 熱処理用治具およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-356183   出願人：東海カーボン株式会社, 旭硝子株式会社