特許
J-GLOBAL ID：200903069829647562
セラミック電子部品の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-311660
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079529
出願日： 2003年09月03日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】セラミック素体のはがれやデラミネーション、割れや欠けなどの構造欠陥の発生を引き起こすことなくセラミック素体の面取りを行うことができるようにする。【解決手段】複数個のセラミック素体1を、内部電極3a,3bの露出した端面5a,5bが載置面に対して略垂直になるような姿勢で、セラミック素体1間に所定の隙間Gが形成されるように保持し、セラミック素体1間の隙間Gに沿って上方からサンドブラストを行ってセラミック素体1の一方主面側稜線部21aの面取りを行い、セラミック素体1を反転させた後、反転したセラミック素体1間の隙間Gに沿って上方からサンドブラストを行ってセラミック素体1の他方主面側稜線部21bの面取りを行う。 マザー積層体をダイシング法によりカットして、複数個のセラミック素体1が、セラミック素体1間に所定の隙間Gが形成されるような態様で保持されるようにする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
(a)端面に内部電極が露出した構造を有する複数個のセラミック素体を、前記内部電極の露出した端面が載置面に対して略垂直になるような姿勢で、かつ、セラミック素体間に所定の隙間が形成されるような態様で保持する工程と、
(b)前記セラミック素体間の隙間に沿って上方からサンドブラストを行い、セラミック素体の一方主面側稜線部の面取りを行う工程と、
(c)前記セラミック素体を反転させ、前記内部電極の露出した端面が載置面に対して略垂直になるような姿勢で、かつ、セラミック素体間に所定の隙間が形成されるような態様で保持する工程と、
(d)反転した前記セラミック素体間の隙間に沿って上方からサンドブラストを行い、セラミック素体の他方主面側稜線部の面取りを行う工程と
を具備することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G4/12 364
, H01G4/30 311A
5E001AB03
, 5E001AF06
, 5E001AH02
, 5E001AH06
, 5E001AJ03
, 5E082AB03
, 5E082BC32
, 5E082BC38
, 5E082FG26
, 5E082JJ03
, 5E082JJ15
, 5E082LL01
, 5E082LL03
, 5E082MM12
, 5E082MM13
, 5E082MM17
, 5E082MM24
