特許
J-GLOBAL ID：200903069842314769

光集積デバイス

発明者：
深野 秀樹

深野 秀樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-108282
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287144
出願日： 2005年04月05日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】 消費電力の小さい光集積デバイスを実現する。【解決手段】 光変調器10とDFBレーザ20とが光結合する構造となっており、DFBレーザ20から出射された光が光変調器10への入射光Pinとなり、光変調器10からは光変調された出射光Poutが出力される。DFBレーザ20には変調電気信号Qが入力され、光変調器10には反転変調電気信号Q′が入力される。このため、DFBレーザ20から出力され光変調器10に入力される入射光Pinはある程度変調がされており、光変調器10では反転変調電気信号Q′により不足分の変調を行うだけで済む。このため、光変調器10での変調負担が減り、全体として消費電力が低減する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気信号が入力されるとこの電気信号の波形に応じた光波形となっている光を出射する半導体レーザ素子と、光が入射されると共に電気信号が入力されると電気信号の波形に応じて光を変調し変調した光を出射する光変調素子とを有し、 前記半導体レーザ素子から出射された光が前記光変調素子に入射されるように、前記半導体レーザ素子と前記光変調素子とが光結合された構造体になっており、 前記半導体レーザ素子にはデータ信号である変調電気信号が入力され、前記光変調素子には前記変調電気信号の信号波形を反転した信号波形となっている反転変調電気信号が入力される構成になっていることを特徴とする光集積デバイス。
IPC (2件)：
H01S 5/026 ,  G02F 1/017
FI (2件)：
H01S5/026 616 ,  G02F1/017 503
Fターム (21件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079HA04 ,  2H079HA12 ,  5F173AB13 ,  5F173AD14 ,  5F173AH14 ,  5F173AR23 ,  5F173AR61 ,  5F173SA17 ,  5F173SC02 ,  5F173SE02 ,  5F173SG04 ,  5F173SG05 ,  5F173SJ04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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