特許
J-GLOBAL ID：200903069848091290
半導体装置及びその作製方法並びに電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242575
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127304
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を得るためのレーザーアニール方法を提供する。【解決手段】 レーザー光を照射することで非晶質半導体膜を結晶化する際に、レーザー光を非晶質半導体膜の表面及び裏面に照射する。また、そのとき表面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度(I<SB>0</SB>)と裏面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度(I<SB>0</SB>')との比(I<SB>0</SB>'/I<SB>0</SB>)に、0<I<SB>0</SB>'/I<SB>0</SB><1または1<I<SB>0</SB>'/I<SB>0</SB>の関係が成り立つことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の領域と該第1の領域に挟まれ、且つ、該第1の領域よりも平均結晶粒径の小さい第2の領域とを有する島状半導体層をパターニングして得られた活性層を含み、前記活性層の少なくともチャネル形成領域が前記第1の領域で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/268
H01L 21/20
, H01L 21/268 J
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 627 G
