特許
J-GLOBAL ID：200903099926478321
薄膜半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084085
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284418
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 レーザーアニールによって形成された多結晶シリコン膜を能動層として用いた半導体素子の特性を均一にできる薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】 断面矩形状のレーザービームをスキャンするレーザーアニールによってガラス基板上にα領域10Aとβ領域10Bが交互に分布する多結晶シリコン膜を形成する。上記データ線駆動用回路に用いるトランジスタのシリコンアイランド1,2と、サンプリング回路に用いるトランジスタのシリコンアイランド3と、ロジック回路に用いるトランジスタのシリコンアイランド4,5と、走査線駆動回路に用いるトランジスタのシリコンアイランド6と、増幅回路に用いるトランジスタのシリコンアイランド7と、画素電極用スイッチング回路であるトランジスタのシリコンアイランド8とを、多結晶シリコン膜の表面の凹凸の大きさが略等しいβ領域10Bに形成する。
請求項（抜粋）：
基板上のアモルファスシリコン膜を断面矩形状のレーザービームでスキャンするレーザーアニールによって上記基板上に形成された多結晶シリコン膜を能動層として用いた半導体素子が含まれる単位回路が配列された薄膜半導体装置において、上記多結晶シリコン膜の表面の凹凸の大きさによって分けられる複数の領域を有し、上記各単位回路に属する全ての上記半導体素子の能動層は、2つ以上の上記領域に形成されることがなく、1つの上記領域に形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136
, H01L 21/268
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, G02F 1/136
, H01L 21/268 J
, H01L 29/78 612 Z
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 C
