特許

J-GLOBAL ID：200903069864064030

半導体基板の切断方法

発明者： 松坂 浩志 ,  山田 耕平 ,  土橋 正典
出願人/特許権者： 株式會社塩山製作所
代理人 (1件)： 田中 正男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-353427
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166445
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】半導体基板のレーザーダイシングにおいて、デブリが発生しても、ピックアップ装置である平コレットに悪影響を与えない分割切断法を提供する。 【解決手段】切断予定ラインの切断部の幅方向の中央線に沿ってレーザービームを照射し半導体基板を切断しチップとする半導体基板の切断方法において、前記切断予定ライン内に凹部を形成し、前記凹部の幅方向の中央線に沿ってレーザービームにより切断する。その際、凹部の深さは、デブリが基板表面より上方に出ない深さにする。また、前記凹部の基板表面からの深さを3.5μm以上とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

切断予定ラインの切断部の幅方向の中央線に沿ってレーザービームを照射し半導体基板を切断しチップとする半導体基板の切断方法において、 前記切断予定ライン内に凹部を形成し、 前記凹部の幅方向の中央線に沿ってレーザービームにより切断することを特徴とする半導体基板の切断方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40

FI (4件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/78 B ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40

Fターム (2件)：

4E068AE01 ,  4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体ウエーハの分割方法および分割装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-178182   出願人：株式会社ディスコ
• 基板切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-035794   出願人：エヌイーシーマシナリー株式会社
• ウェハーの二段式レーザー切断
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-591226   出願人：クリック・アンド・ソッファ・インベストメンツ・インコーポレイテッド