特許

J-GLOBAL ID：200903069869341741

ZnO系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法

発明者： 岩田 拡也 ,  ポール・フォンス ,  山田 昭政 ,  松原 浩司 ,  仁木 栄 ,  中原 健
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  ローム株式会社
代理人 (2件)： 河村 洌 ,  河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256729
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076026
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 ZnO系酸化物半導体層のp形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるZnO系酸化物半導体層の成長方法、およびZnO系酸化物の結晶性を向上させて発光特性の優れた半導体発光素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 ZnO系酸化物を構成する材料源ZnおよびOと、p形ドーパントであるチッ素をプラズマ化したドーパント源Nとを供給すると共に、ZnO系酸化物を構成する材料源がZnリッチとなるように供給しながらp形ZnO系酸化物半導体層9を基板8上に成長する。

請求項（抜粋）：

ZnO系酸化物を構成する材料源と、p形ドーパントであるチッ素とを供給すると共に、前記ZnO系酸化物を構成する材料源がZnリッチとなるように供給しながらp形ZnO系酸化物半導体層を成長することを特徴とするZnO系酸化物半導体層の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/347

FI (4件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/347

Fターム (29件)：

5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA55 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB22 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD10 ,  5F045CA11 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103NN05 ,  5F103PP11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-351051   出願人：スタンレー電気株式会社
• P型ドーパントを含有する酸化亜鉛膜およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-564239   出願人：ザ・キュレーターズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミズーリ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of p-type Zinc Oxide Films by Chemical Vapor Deposition